"아이폰 48도 발열" TSMC 3나노 비상 … 삼성 반사이익 기대
아이폰 신작 사용자 잇단 불만
탑재된
TSMC
3나노 칩에서
전력 누수로 발열됐다는 의견
핀펫 미세공정 한계 드러내
'절치부심' 삼성 추격할 기회
GAA
방식 각광 점유율도 쑥
파운드리(반도체 위탁생산) 절대 강자인 대만
TSMC
의 차세대 3나노(㎚
·1
㎚는 10억분의 1m) 칩에 대한 의구심이 커지고 있다. 첫 양산 제품인 아이폰 신작의 발열이 심한 것으로 알려졌기 때문이다. 한발 앞서 3㎚ 공정에 진입해 안정기를 이룬 삼성전자로서는 반사이익의 기회를 모색할 수 있게 됐다. 25일 업계와 외신에 따르면 최근 애플의 새로운 스마트폰 '아이폰 15 프로'에 들어간 모바일 칩
'A17
프로'가 과도한 발열 논란에 휩싸였다. 이 칩은
TSMC
의 3㎚ 공정 대량 생산의 데뷔 무대 격이다.
최근 한 중국인 사용자는 아이폰 15 프로로 고사양 게임을 구동하니 30분 만에 휴대폰 온도가 섭씨 48도까지 상승했다고 밝혔다. 반도체 칩의 발열은 통상적으로 설계상 문제가 있거나 제조 공정상에서 전력 누수를 잡지 못했을 경우 발생한다. 업계에서는 조심스럽게
TSMC
공정에 문제가 생겼을 가능성에 무게를 두고 있다.
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책임론의 배경 중 하나는 기존 핀펫(
FinFET
) 방식이 미세공정에서 한계에 도달했기 때문이다. 핀펫 방식은 전력을 통제하는 접촉면이 3면인 구조를 말한다. 2011년 도입된 이후 4㎚까지 미세공정의 공식처럼 쓰인 기법이다.
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는 핀펫 방식의 달인으로 불리며 업계를 주도해 왔다. 하지만 3㎚ 이하 초미세영역으로 들어서면서 구조적으로 핀펫 방식으로는 전류를 제어하기 매우 어려워졌다.
더 큰 우려는 3㎚ 1세대 제품에서 결함이 발생했다면 같은 기술을 뼈대로 둔 후속 공정에서도 문제가 생길 가능성이 크다는 점이다.
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는 1세대인
N3B
에 이어 내년도 2세대인
N3E
를 포함해 용도별로 복수의 후속 3㎚ 공정 도입을 예고한 상태다.
앞서 삼성전자도 5㎚ 공정에서 수율 확보에 애를 먹은 이후 이어진 5㎚ 후속 공정과 비슷한 구조의 4㎚ 공정까지 연이어 타격을 받았다. 결국 4㎚ 대표 제품이었던 '갤럭시
S22'
에 탑재된 칩에서 발열 논란이 발생했고 퀄컴 등 주요 고객사들이
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로 이탈한 것으로 알려졌다. 그 결과
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와 삼성전자의 시장 점유율 격차는 지난 1분기 50.3%포인트 넘게 벌어지기도 했다. 절치부심한 삼성전자는 3㎚ 공정에서 전면적인 변화를 꾀했다. 접촉면이 4개인 게이트올어라운드(
GAA
) 구조를 한발 앞서 도입했다. 핀펫 방식보다 접촉면이 넓기 때문에 전류 흐름을 세밀하게 제어할 수 있다. 이 때문에 전력 소모가 적고 전성비(전력 대비 성능) 측면에서도 10% 정도 우위에 있는 것으로 알려졌다.
하이투자증권에 따르면 삼성전자의 3㎚ 수율은 60% 이상으로 추정된다. 현재
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의 3㎚ 수율이 55% 수준으로 파악되는 것과 비교하면 오히려 삼성전자의 수율이 더 높은 상황이다. 업계에서는
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의 3㎚ 공정 수율에 대한 우려가 해소되지 못할 경우 대형 고객사들이 삼성전자 제품을 병행 채택하는 등 이탈할 수 있다고 전망하고 있다.
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도 핀펫 방식의 한계를 인정하고 2㎚부터는
GAA
공법으로의 전환을 예고한 상태다. 하지만 이 역시 여의찮다.
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는 애초 2㎚ 반도체를 2025년 양산하고 2024년에는 시제품을 생산한다는 구상이었다.
하지만 최근 대만 내 2㎚ 공장 건설 진행이 늦춰지고 있어 생산 일정이 1년여 미뤄질 가능성이 커지고 있다. 표면적으로는 고객 수요 전망에 맞추는 결정이라는 이유를 들고 있지만 일각에서는
GAA
공법 적용에 애를 먹고 있다는 추측도 나오고 있다.
이 같은 분위기는 실제 점유율에서도 나타나기 시작했다.
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의 올 2분기 점유율은 전 분기(60.2%)보다 3.8%포인트 하락해 56.4%를 기록한 반면 삼성전자의 점유율은 1.8%포인트 올랐다. 특히 내년에 길었던 침체기를 마치고 시장 반등이 기대되는 시점에 마련한 반전 기점이라 삼성전자에 더욱 고무적이다.
[오찬종 기자]
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