삼성의 GDDR7 메모리는 (클럭은 낮지만) 올해 후반에 출시될 예정인 NVIDIA의 차세대 GeForce RTX 5090을 지원할 것으로 예상됩니다.
삼성은 IEEE 2024(International Solid-State Circuit Conference)에서 차세대 GDDR7 메모리를 데모할 예정입니다. PAM3을 기반으로 한 이 메모리는 각각 GDDR6과 GDDR6X 메모리에서 사용된 NRZ 및 PAM4보다 한 단계 진보된 것입니다. 이번 해 후반에 출시될 예정인 GeForce RTX 5090을 구동할 메모리 표준으로 볼 것으로 예상됩니다. GeForce RTX 4080 Super는 현재 시장에서 가장 빠른 그래픽 메모리를 탑재한 상태로 23Gbps를 달성했습니다. 마이크론의 GDDR6X 메모리는 두 배의 데이터를 전송할 수 있는 PAM4 변조를 활용합니다.
NRZ는 두 가지 데이터 상태(0과 1)만 가지고 있으며, PAM4는 네 가지(00, 01, 10 및 11), PAM3는 세 가지(1, 0 및 -1)를 가지고 있습니다. 삼성의 GDDR7 메모리는 "PAM3-Optimized TRX Equalization and ZQ Calibration"을 활용합니다. 이는 PAM4의 2비트와 PAM2/NRZ의 1비트에 비해 주기당 1.5비트를 전송합니다. PAM3는 동일한 주파수에서 PAM4보다 낮은 대역폭을 갖고 있지만 PAM2/NRZ보다 높은 대역폭을 가지고 있습니다. PAM4에 비해 낮은 신호 대 잡음 비율(SNR)은 더 나은 비트 에러율(BER)을 가져옵니다. 또한 낮은 전력 소비도 추가 혜택 중 하나입니다.
주기당 더 높은 전송 속도 외에도 GDDR7은 은행 수준에서 두 개의 독립적인 명령을 발행하여 데이터 처리량을 최적화합니다. 예를 들어 은행 A가 새로 고쳐지고 있는 동안 은행 B는 동시에 읽을 수 있습니다. 유휴 상태일 때 NRZ 모드로 전환하여 전력 효율성을 더욱 향상시킬 수 있습니다.
삼성의 설명에 따르면 16Gb 37Gbps GDDR7 메모리는 GeForce RTX 4080의 23Gbps GDDR6X 메모리보다 61% 빠르며, RTX 5090에 대해서는 이 정도의 세대 증가는 불가능하다고 예상됩니다. 첫 번째 Blackwell GPU 물결이 올해 후반에 나올 때 32Gbps 또는 아니면 더 낮은 24Gbps의 GDDR7 메모리를 탑재할 것으로 예측됩니다.
엔비디아의 소식통 kopite7kimi에 따르면 차세대 Blackwell "GB202" 게이밍 다이는 12(GPCs) x 8(TPCs) 구성을 갖추게 될 것으로 예상됩니다. 이는 각각 8개의 TPCs(텍스처 처리 클러스터)를 포함한 12개의 GPCs(그래픽 처리 클러스터)를 특징으로 하는 거대한 GPU를 의미합니다. TPC는 128개의 FP32 코어를 포함하는 2개의 SMs(스트리밍 멀티 프로세서)로 구성됩니다.
위의 숫자들은 완전히 활성화된 GB202 다이에 대한 24,576(192개 SMs)의 코어 수를 나타냅니다. GeForce RTX 5090도 적절한 생산을 보장하기 위해 몇 개의 비활성화된 SMs를 포함할 것으로 예상됩니다. 낙관적으로는 24,046개 이하의 코어 수를 기대할 수 있습니다. 메모리 측면에서는 24Gbps로 클럭된 32GB의 GDDR7 메모리가 합리적인 선택으로 보입니다.
(연예인)
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